MOS

Contrazione della sigla inglese MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) con cui sono indicati i transistori a effetto di campo del tipo metallo-ossido-semiconduttore, generalmente realizzati con il silicio, e i circuiti integrati monolitici in cui essi sono presenti. Relativamente a questi ultimi, la semplicità strutturale, specie per il tipo a riempimento di canale, ha favorito in maniera determinante il loro impiego come dispositivi circuitali di tipo digitale ove siano prevalentemente richiesti valori elevati del livello di integrazione con potenza assorbita in ingresso praticamente nulla, come, per es., le memorie a semiconduttore di elaboratori elettronici e microprocessori; per contro si hanno tipicamente velocità di commutazione tra stati logici diversi sensibilmente più basse degli analoghi circuiti a transistori bipolari. Notevole è la diffusione di semplici porte logiche integrate NAND, NOR o derivate, in cui i transistori sono utilizzati non solo come elementi attivi ma anche come elementi di carico; in base alla realizzazione tecnologica si distinguono le famiglie logiche P-MOS, N-MOS e C-MOS (o COS-MOS), rispettivamente attuate con transistori a effetto di campo a canale p, a canale n e con transistori complementari dei due tipi, queste ultime caratterizzate da valori estremamente ridotti della potenza dissipata.