ESAKI, Leo
Fisico giapponese, nato a Osaka il 12 marzo 1925. Laureatosi nel 1947 all'università di Tokyo, iniziò le sue ricerche nella fisica dello stato solido alla Sony Corporation nel 1957, occupandosi dell'effetto tunnel in giunzioni p-n. Lavorando su diodi fortemente drogati, allo scopo di poter rendere la giunzione molto sottile (lo spessore della giunzione è inversamente proporzionale alla radice quadrata della concentrazione d'impurezza) e quindi elevare la probabilità di effetto tunnel, notò anomalie nella caratteristica di tensione nel verso diretto; riducendo ulteriormente lo spessore della giunzione (100 nm) mediante aumento di drogaggio, e lavorando alla temperatura dell'azoto liquido, poté infine rilevare una regione a resistenza negativa: su questa base, pervenne alla realizzazione del diodo a tunnel (o diodo di E.), la cui importanza come amplificatore a risposta veloce ha dato notevole impulso allo studio delle giunzioni. Sull'effetto tunnel l'E. conseguì il Ph. D. nel 1959 all'università di Tokyo. L'anno successivo si trasferì negli SUA, dove compì ricerche sui semimetalli per la IBM. Nel 1972 ha iniziato una serie di ricerche sulla realizzazione di una struttura reticolare (superlattice), con proprietà tipiche della giunzione a tunnel. Per i suoi contributi nella fisica dello stato solido ha ricevuto il premio Nobel nel 1973, insieme con B. D. Josephson e I. Giaever.